به گزارش ایسنا، محققان دانشگاه ملی سئول و دانشگاه سونگ کیونکوان به تازگی روشی برای رشد آرایه های نیترید گالیم بر روی یک لایه گرافن انعطاف پذیر ارائه کرده اند. این ساختار که به آرایه های میکرودیسک شهرت دارد، از بلورینگی عالی برخوردار بوده و با جهت گیری یکنواخت درون صفحه، تابش نور آبی قوی را از خود نشان می دهند.
محققان میکرودیسک های GaN را روی یک لایه گرافن (که روی یک بستر یاقوت کبود قرار دارد) تثبت کردند؛ لایه ای که با یک ماسک SiO2 با الگوی ریز با استفاده از اپیتاکسی فاز بخار آلی فلزی پوشانده شده است. این میکرودیسک ها در ادامه به میکروال ای دی تبدیل شده و سپس با موفقیت به روی بسترهای قابل انعطاف منتقل شدند.
این تحقیق نشان داد که امکان رشد ال ای دی های با کیفیت بالا بر روی گرافن و سپس ادغام آن در دستگاه های میکرو led انعطاف پذیر وجود دارد.
- 16
- 6